亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

CREE頻射紅外光萬能寬帶網絡，50 V

分享時刻：2020-10-30 15:15:51 看：1909

CREE微波射頻射頻微波射頻GaN HEMT元器件非常的支持于寬度帶變成器的適用，存在很高的擊穿線電壓線電壓。高電功率高密度、低寄身和高FT的一直有性同意利用兼具多倍頻程的縮放器來達到瞬時網絡帶寬。CREErf射頻微波加熱系車輛具有輸出精度工作電壓為15W至350 W(CW)的50V二極管封裝型結晶體管、不符合的離散器材和采用DC-6 GHz應運的運作在50V的50 ohm MMIC變成器。CREE頻射微波射頻食品結合還分為使用于比調圖像運放電路和多功用發/傳輸版塊的裸心片和MMIC裸電子器件。

東莞市立維創展信息技術是CREE的代理商商，CREE護膚品涉及到：會亮二級管IC芯片，照明燈會亮二級管，背光會亮二級管，工作功率旋鈕元件，無線網絡數字電速率設施裝備和無線網絡數字電設施裝備的會亮二級管。，CREE借助于優勢與劣勢的銷售推廣渠道，常期具有存量，以夠滿足中國內地行業的使用需求，認可咨訊。

CREE射頻微波通用寬帶

SKU	Frequency (Min)	Frequency (Max)	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage
CMPA0527005F	1.2 GHz	1.4 GHz	5 W	20 dB	0.47	50 V
CMPA0527005F-AMP1	1.2 GHz	1.4 GHz	5 W	20 dB	NA	50 V
CGHV27015S	DC	6 GHz	15 W	21 dB	0.32	50 V
CMPA0060025F	DC	6 GHz	25 W	17 dB	0.28	50 V
CMPA0060025F1	DC	6 GHz	25 W	17 dB	0.28	50 V
CMPA0060025D	DC	6 GHz	25 W	18 dB	0.33	50 V
CMPA0060025F-AMP	DC	6 GHz	25 W	17 dB	NA	50 V
CMPA0060025F1-AMP	DC	6 GHz	25 W	17 dB	NA	50 V
CGHV27030S	DC	6 GHz	30 W	21 dB	0.32	50 V
CGHV27030S-AMP1	2.5 GHz	2.7 GHz	30 W	21 dB	NA	50 V
CGHV27030S-AMP2	2.5 GHz	2.7 GHz	30 W	21 dB	NA	28 V
CGHV27030S-AMP3	1.8 GHz	2.2 GHz	30 W	21 dB	NA	28 V
CGHV27030S-AMP4	1.8 GHz	2.2 GHz	30 W	21 dB	NA	50 V
CGHV27030S-AMP5	1.2 GHz	1.4 GHz	30 W	21 dB	NA	50 V
CGHV40030F	DC	6 GHz	30 W	16 dB	0.7	50 V
CGHV40030F-AMP2	0.5 GHz	2.7 GHz	30 W	16 dB	NA	50 V
CGHV40030P	DC	6 GHz	30 W	16 dB	0.7	50 V
CGHV60040D-GP4	DC	6 GHz	40 W	>7 dB	0.65	50 V
CGHV40050F	DC	4 GHz	50 W	16 dB	0.53	50 V
CGHV40050F-AMP	0.8 GHz	2 GHz	50 W	16 dB	NA	50 V
CGHV40050P	DC	4 GHz	50 W	16 dB	0.53	50 V
CGHV27060MP	DC	2.7 GHz	60 W	16.5 dB	0.64	50 V
CGHV27060MP-AMP1	2.5 GHz	2.7 GHz	60 W	16.5 dB	NA	50 V
CGHV27060MP-AMP3	0.8 GHz	2.7 GHz	60 W	16.5 dB	NA	50 V
CGHV27060MP-AMP4	DC	1 GHz	60 W	16.5 dB	NA	45 V
CGHV35060MP	2.7 GHz	3.8 GHz	60 W	14.5 dB	0.67	50 V
CGHV60075D5-GP4	DC	6 GHz	75 W	>7 dB	0.65	50 V
CG2H30070F	0.5 GHz	3 GHz	80 W	15 dB	0.55	28 V
CG2H30070F-AMP2	0.5 GHz	3 GHz	80 W	15 dB	NA	28 V
CGHV40100F	DC	3 GHz	100 W	17.5 dB	0.55	50 V
CGHV40100F-AMP	0.5 GHz	2.5 GHz	100 W	17.5 dB	NA	50 V
CGHV40100P	DC	3 GHz	100 W	17.5 dB	0.55	50 V
CGHV40100P-AMP	0.5 GHz	2.5 GHz	100 W	17.5 dB	NA	50 V
CGHV60170D-GP4	DC	6 GHz	170 W	>7 dB	0.65	50 V
CGHV40180F	DC	2 GHz	200 W	24 dB	0.7	28 V / 50 V
CGHV40180F-AMP3	0.96 GHz	1.25 GHz	200 W	24 dB	NA	28 V / 50 V
CGHV40180P	DC	2 GHz	200 W	24 dB	0.7	28 V / 50 V
CGHV40200PP	DC	3 GHz	250 W	21 dB	0.75	50 V
CGHV40200PP-AMP	1.7 GHz	1.9 GHz	250 W	21 dB	NA	50 V
PTVA042502EC-V1	0.47 GHz	0.806 GHz	250 W	19 dB	0.26	50 V
PTVA042502FC-V1	0.47 GHz	0.806 GHz	250 W	19 dB	0.26	50 V
CGHV40320D-GP4	DC	4 GHz	320 W	19 dB	0.65	50 V
PTVA043502EC-V1	DC	1.35 GHz	350 W	18 dB	0.3	50 V
PTVA043502FC-V1	DC	1.35 GHz	350 W	18 dB	0.3	50 V

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: UMS氮化鎵功率晶體管