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AMCOM離散工作功率GaN HEMT頻射納米線管

發布新聞周期：2020-08-27 16:10:31     挑選：2180

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業，是機器設備/MMIC封裝，功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家，AMCOM的產品涵蓋功率FET，MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散功效GaNHEMTrf射頻納米線管滿足優良的線性和寬帶網絡優缺點，而能充沛表現更快的高工作功率高強度和輸入有效率。

GaN就是一種極其動態平衡的有機化合物，具備很好的原子核鍵、高的熱導率、很高的電離度和很好的物理化學動態平衡性，這會讓GaN集成電路芯片比Si和GaAs含有更強的抗普及專業能力。同時，GaN一種高凝固點、高傳熱性的相關材料。GaN額定功率器材一般 以SiC為襯底，具有著較高的熱導率，這樣GaN功效配件具備較高的結無刺激高熱工作中作用。

GaN高電子為了滿足電子時代發展的需求，滲透率硫化鋅管(HEMT)早已成為為5G中大型通信基站電率放小器的發展趨勢得票數技術，基于其本身的高穿透額定電壓、高電率密度計算、大資源帶寬和高速率率，己成為5 G移動通信基站安全可靠半導體設備技術應用。

成都市立維創展網絡是AMCOM經售商，技術專業具備AMCOM物品系類涉及到：頻射結晶體管、MMIC輸出調大器、混合法調大器功能、帶寬調大器、高輸出調大器功能、帶RF和DC接器的高電功效增加器接口和低噪音分貝增加器，電功效增加器，電開關，衰減器，移相器包括上/底下調頻器的環保定制家具等，廠品原裝入口進囗的，質量管理切實保障，歡迎語咨詢中心。

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 AMCOM.jpg

離散工率GaN HEMT

實體模型

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1音貝（dBm）

峰值（dBm）

偏差（V）

AM050WN-CU-R

直流電電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

直流變壓器電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

直流電電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

整流電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流電電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

直流變壓器電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

直流變壓器電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

直流電電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

直流電壓電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

交流電電

18

23

32

33.4

-14


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