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HMC219B有的是款超中大型公用雙均衡性混頻器，選用8引腳超中大型泡沫塑料表貼打包封裝，帶爆露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單處理器微波通信集成化電源線路(MMIC)混頻器選用砷化鎵(GaAs)金屬件半導場效用結晶管(MESFET)藝加工，不要靜態元器或連接電源線路。該元器適用作聲音頻率領域為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流abb變頻柜器、下直流abb變頻柜器、雙相調配器或相位較器。 立維創展HMC219B采取途經簡化的巴倫構成，提供了出彩的本振(LO)至rf射頻(RF)隔絕及LO至中頻(IF)隔絕能。非常包含RoHS準則的HMC219B需線焊，與高余量表貼營造技術應用兼容。MMIC能增強可增長機系統工作上率并保證 非常包含HiperLAN、U-NII和ISM相關法律法規規范要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE技術應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖