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公布的期限:2019-02-22 10:24:49 閱讀:2633
Wolfspeed的CGHV96100F2是炭化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高網絡遷址率結晶管(HEMT)。與另外技術工藝相對比,各種GaN內外部篩選(IM)FET有好品質的電率扣除利用率。與硅或砷化鎵差距,GaN還具有出眾的效果,以及越來越高的穿透的電壓,越來越高的供大于求網上漂移速度快和越來越高的導電率。與GaAs氯化鈉晶體管相比較,GaN HEMT還出示越大的熱效率體積和更寬的帶寬使用。該IM FET利用不銹鋼/陶瓷廠家蝶閥法蘭封口,具有著最合適的不間斷和溫性能。
特征
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品牌
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CREE
CGHV96100F2
1周
320
| 最高值輸出的額定功率 | 100W | |
|---|---|---|
| 采用 | Lk線/ Sk線/ Xk線/ Ck線/ Kuk線 | |
| 其最典型的的電功率疊加能力PAE | 45% | |
| 類型瓦數(PSAT) | 145瓦 | |
| 效率收獲 | 10聲貝 | |
| 運行電流電壓 | 40 V | |
| 率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 包裝盒多種類型 | 輪緣 | |
| 組織結構連接 | 是 - 50Ω | |
示意圖
