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微波通信元元件
AM005WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為0.5mm。它也是個工業陶瓷芯片封裝，本職工作次數led光通量12ghz。BI系統用唯一性方案的瓷質裝封，用放到式裝置辦法，可能含有可以彎曲的（BI-G）或直（BI）等電位連接裝置線。芯片封裝頂端的法蘭部一并用于電流等電位連接裝置、rf射頻等電位連接裝置和熱過道。此那部分具有RoHS。
基本特征
可以達到12GHz的低頻實際操作
增益控制=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz
從表面貼裝
合理散熱管的下層
技術應用
高動態展示接受到器
蜂窩有線基站設備
帶寬和窄帶放小器
雷達天線
試驗機器設備
軍事戰爭
電磁波輻射器