中文名字
紅外光元集成電路芯片
AM012WN-BI-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為1.25亳米。它是在一種陶瓷圖片雙包的操作可以達到10千兆赫。BI型號用于特殊化結構設計的淘瓷打包封裝，用于融入式進行安裝途徑，有帶拉伸（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝形式低部的法蘭部一并用做直流電保護接地保護、rf射頻保護接地保護和熱區域。此區域包含RoHS。
特征描述
高至10GHz的高頻作業
收獲=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外面貼裝
效果散熱器的下層
APP
高信息發送器
蜂窩無線路由通信基站
寬帶網和窄帶調大器
聲納
檢查實驗儀器
日本軍事
騷擾器