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徽波元電子器件
AM025WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總：寬度為2.5mm。它有的是個瓷器芯片封裝，辦公次數可以達到8千兆赫。BI類型利用特殊的設計構思的瓷器封裝形式，利用放到式按照具體方法，包含彎曲成（BI-G）或直（BI）電纜線。裝封底的法蘭盤時用在交流電一定一定接地、rf射頻一定一定接地和熱出入口。此大部分具有RoHS。
結構特征
可以達到8GHz的中頻操作使用
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
外觀貼裝
更好散熱器的表層
技術應用
高日常動態收到器
蜂窩wifi基站設備
帶寬和窄帶變成器
汽車雷達
檢查機器設備
軍事訓練
要素器