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Cree單位的CMPA2560025F不是種研究背景氮化鎵（GaN）高電商遷址率氯化鈉尖晶石管（HEMT）的片式徽波集成型線路（MMIC）。與硅或砷化鎵不同之處，GaN包括更強的擊穿的電壓的電壓、更強的過剩電商漂移進程和更強的熱導率。與Si和GaAs氯化鈉尖晶石管不同之處，GaN-hemt還包括更強的額定功率強度和更寬的資源上行帶寬。這一MMIC主要包括某個多級反應遲鈍符合放小器，使十分寬的資源上行帶寬也可以在某個小的土地征用總面積的打緊二極管封裝，包括銅鎢水冷器。

優點?24 dB小4g信號增加收益?25 W常見PSAT?操作電阻值高至28 V?高損壞交流電壓?高溫環境程序運行

采用?加寬帶放縮器?金屬驅動包器?檢查機器設備?EMC放縮器