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紅外光元電子電子元件
Qorvo QPM5811 0.5W GaAs（砷化鎵）MMIC前邊版塊 (FEM) 調整使用在次數位置為8.5GHz至10.5GHz的Xk線雷達探測用。QPM5811在單芯片封裝中集成反射/接受到面板開關、低背景燥聲變大器和電率變大器。其接受到渠道給予26dB增加收益，低背景燥聲公式為2.0dB。其反射渠道給予30dB小移動數據信息增加收益。該集成電路芯片可給予0.5W是處于飽和狀態電率，45%電率增添使用率 (PAE) 同時23.5dB大移動數據信息增加收益。
Qorvo QPM5811web前端功能模塊選擇6.0mm x 6.0mm外壁貼裝QFN封裝，包復壓延成型封裝，具備著高導電性存儲芯片進行連接加工過程。該封裝讓元器件封裝在耐高溫生活環境里能夠始終保持表現出色的特性。它尺寸規格寬敞，可充分滿足Xk線相控陣雷達天線利用所需要的密實晶格跨距規定。
基本特征
頻率范圍：8.5GHz至10.5GHz
過飽和打印輸出平均功率 (PSAT)：49.5dBm
公率增加能力 (PAE)：45%
大表現增加收益：23.5dB
小移動信號增益控制：26dB
躁音彈性系數：2dB
6.0mm x 6.0mm QFN芯片封裝
無鉛、無鹵、具備RoHS提示
操作
溝通
預警雷達