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EC2612-99F 晶體管

核心參數值

EC2612-99F 晶體管

頻射資源帶寬（GHz）：直流電-40收獲（dB）：9.5燥音因子（dB）：1.5訂購貨期：3-4周

設備祥情介紹英文

EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口總寬為120μm，0.15毫米。T形鋁鎂合金鑄鐵閘門具備著低電阻功率和突出的可信性。

該元器顯現出很高的跨導，最終得以致使很高的頻點和低背景噪聲效能。

它以存儲芯片結構類型帶來，攜帶利用孔拼接的源極，僅需減少柵線和漏極線。