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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管
重要性產品參數

CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

頻射上行寬帶(GHz): 1.2-1.4小表現增加收益(dB):16公率(W):15涉及到增加收益(dB): > 14P-1dB內容輸出(dBm):-PAE(%): > 55備貨貨期:3-4周

品牌:UMS微波

產品祥情介紹英文

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為Lk線的繁多RF工率使用可以提供了光纖寬帶緩解計劃方案。該電路系統至關適激光脈沖聲納軟件應用。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上強調的。它因為準MMIC技術設備。

它以不符合RoHS的SMD封口作為。