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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

必要技術參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小衛星信號增益控制（dB）：20電率（W）：200相關內容增益值（dB）： > 14P-1dB工作輸出（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨：3-4周

新產品內容說明

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

十分適合激光脈沖汽車雷達技術應用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設備上說出的。它應用于準MMIC技術性。

它應用密封性能卡箍工業陶瓷輕金屬電源適配器封裝，可給予低寄身和低熱擴散系數。