CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為聲納和聯通等不同RF開關電源使用提供數據統一和帶寬解決方案設計。
它是依托于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT科技發掘的,與此同時尤其是符合要求RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令表的暫行規定。
它以裸電源芯片行式提出了,同時要求外表切換用電線路。
紅外光元零件
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻帶寬度(GHz): 14 @ 6工作任務規律(GHz):比較多6個飽和點瓦數(W): 20PAE(%)@率(GHz): 60 @ 6備貨交貨期:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為聲納和聯通等不同RF開關電源使用提供數據統一和帶寬解決方案設計。
它是依托于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT科技發掘的,與此同時尤其是符合要求RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令表的暫行規定。
它以裸電源芯片行式提出了,同時要求外表切換用電線路。