CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統利用規則的pHEMT的工藝制作業:柵極總長0.25μm,完成的基板的通孔,新鮮空氣橋和光電束柵星空刻。
它以電子器件樣式提供數據。
微波射頻元功率器件
CHA2190-99F 放大器– LNA
rf射頻帶寬使用(GHZ):20 - 30收獲(dB):15增加收益同軸度(dB):0.5背景噪聲標準值(dB):2.2P-1dB傷害(dBm):11備貨貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統利用規則的pHEMT的工藝制作業:柵極總長0.25μm,完成的基板的通孔,新鮮空氣橋和光電束柵星空刻。
它以電子器件樣式提供數據。