CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路使用標的pHEMT方法制造廠:柵極間距0.25μm,實現基材的通孔,水汽橋和電商束柵極夜刻。
它以基帶芯片結構類型作為。
紅外光元元器件封裝
CHA2066-99F 放大器– LNA
微波射頻下行帶寬(GHZ): 10 - 16收獲(dB):16增益控制同軸度(dB):0.5燥聲標準值(dB):2P-1dB內容輸出(dBm):10定貨貨期:3-4周CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路使用標的pHEMT方法制造廠:柵極間距0.25μm,實現基材的通孔,水汽橋和電商束柵極夜刻。
它以基帶芯片結構類型作為。