CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理所采用pHEMT加工過程造成:柵長0.25μm,經過的基板的通孔,氣橋和電子元器件束柵光刻。
它以集成ic行式或密閉無鉛陶瓷圖片封裝類型提拱。
紅外光元元器
CHA2063a99F 放大器– LNA
頻射下行帶寬(GHZ): 7-13收獲(dB):19增益控制同軸度(dB):2燥音比率(dB):2P-1dB輸出電壓(dBm):8定貨交貨期:3-4周CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理所采用pHEMT加工過程造成:柵長0.25μm,經過的基板的通孔,氣橋和電子元器件束柵光刻。
它以集成ic行式或密閉無鉛陶瓷圖片封裝類型提拱。