中文名字
徽波元元件
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場相應晶狀體管BI國產的幾地方。HiFET是一種種區域連接的專利局環保設備設備，用作油田、大輸出和帶寬廣泛應用。這一區域的總集成電路芯片外邊為2毫米左右（多個1毫米（mm）的FET并接）。AM010WH2-BI-R專為中功效徽波適用而設計的概念，辦公速度能達到12GHz。它也是更高工作電壓裝備的比較好驅動包過程。BI全系列選擇特出設置的工業陶瓷芯片封裝，選擇放到式安裝使用辦法，有點內彎（BI-G）或直（BI）一定接地線線。封口低部的法蘭部時候應用于直流電壓一定接地線、頻射一定接地線和熱短信通道。此這部分復合RoHS。
功能
達到了12GHz的低頻工作
高增加收益和高輸出功率，P1dB=30dbm@3.5GHz
面上貼裝
有效地蒸發器的社會底層
應運
遠程本市環鐵路網絡
蜂窩wifi手機電通訊網絡
WLAN、中繼器和超網段
C波長VSAT
汽車雷達