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AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34 AM090WX-CU-R瓷質圖片裝封類型GaAs輸出PHEMT DC-8GHz，這一款分的總泄水閘參數為9mm。AM090WX-CU-R是為高輸出微波通信技術應用而開發的，上班頻繁 高達8GHz。CU產品系列是專程開發的瓷質圖片裝封類型，具備直引線和插裝式法蘭部。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59 瓷質二極管封裝砷化鎵熱效率PHEMT統計S頻譜AM060WX-BI-R，這三部件的總柵極高度為6mm。AM060WX-BI-R是為高熱效率微波通信技術應用而規劃的，操作概率多達10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54 C股票波段微波射頻納米線管預警雷達AM030WX-BI-R，其總柵極屏幕寬度匹配為3.0mm。它選用淘瓷BI二極管二極管封裝，崗位幾率多達10GHz。BI二極管二極管封裝選用獨特開發的淘瓷二極管二極管封裝，攜帶屈曲（BI-G）或垂線（BI）引線，選用插進式安裝策略。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42 AMCOM的AM010WX-BI-R就是個離散的GaAs PHEMT，其總柵極長度為1.0mm。它是在陶瓷廠家圖片BI芯片封裝類型，行駛高達mg12千兆赫。BI型號用特殊的設計制作的陶瓷廠家圖片芯片封裝類型，具備有屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的裝配策略。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49 Anritsu 擰入式插頭V102M-R，Anritsu 提高了微帶延展性觸片（"劃屏觸體"）。 該觸身體素質夠在有溫度變化規律、撞擊力或振功時對連接方式提高保障。 V110-1 適用來于跡線長寬為 0.15 直徑的微帶和共平面磨波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15 V 凹型凸緣重新啟動器V103F-R，Anritsu 帶來了 V110-1 去能力觸體（也被稱為“滾動條觸體”）， 該觸體能訓練夠在會發生濕度變幻、外力或噪聲時對拼接帶來呵護。 該應用的觸體適宜于跡線大小為 0.15 分米的微帶和共平面設計設計波導。 當應用在共平面設計設計波導時，個別公程師會選取插針疊加設計，這樣的話就行將插針會直接焊接加工到跡線上代理。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 圓珠或 V100B 封好式圓珠緊湊綜合。nritsu 提高了 V110-1 微帶彈力觸片 （也被稱作"翻轉觸體"）， 該觸體能訓練方法夠在引發熱度轉變 、沖撞或振動模式時對無線連接提高保證。 該產品型號的觸體實用作跡線長度為 0.15 分米的微帶和共垂直面波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 雷達天線頻射多晶體管AM005WX-BI-R，其總柵極長度為0.5mm。它是在工業陶瓷廠家BI裝封，開機運行可以達到12千兆赫。BI編用獨特制定的工業陶瓷廠家裝封，擁有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝具體方法。裝封底下的法蘭片的同時當作直流電壓保護接地系統、頻射保護接地系統和熱路。這本分是不符合RoHS標準單位的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 C頻譜VSAT高熱效率網絡帶寬用AM032MH4-BI-R，HIFET是部門匹配好的專屬機 裝配，主要包括高端電壓、高熱效率和網絡帶寬用。該元電子元器件的總元電子元器件外圍網為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高熱效率微波射頻用而設置的，工作任務頻率自由高達6GHz。BI一系列主要包括一類特俗設置的淘瓷封裝，享有微彎或直線條的引線和凸緣裝配方案。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 S光波直流高壓砷化鎵場反應多晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是大部分配對的專業設配配備的高電阻值，高熱效率，高直線度和網絡帶寬操作。該元件的總元件外部為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA移動聯通寬帶網絡配電變電器，NA品類的移動聯通寬帶網絡配電變電器覆蓋率了0.1至300 MHz的率位置內的各個集成運放分配。塑料制品包裝袋設汁采用插入表格油墨印刷集成運放板。*North Hills利用參考文獻標注151-“移動聯通寬帶網絡配電變電器”可以提供了關于幼兒園巴倫配電變電器主題性的進一大步個人信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模傳遞口BF類別穩定動平穩量警報更換器，如下電力電抗器在0.1到100MHz的頻次範圍內給出了極高穩定動平穩量的側向警報源。在種實際情況下，穩定動平穩量指的是指定腿相對而言于地板的電壓電流一樣。BF類別電力電抗器含有內設共模警報傳遞用電線路，為檢測穩定動平穩量或UTP平臺對躁音和要素的易理想的化給出了理想的的法律手段。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低復制圖和退回耗損率巴倫電壓器，由不均衡性繞阻和基地抽頭均衡性繞阻構造的均衡性環，交叉交換電功率，倆個目標配備。North Hills巴倫斯高精度建設項目低復制圖和回波耗損率。領先的均衡性是能夠內化中心對稱的框架來完成的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447混凝土泵送頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫出示了量測電路系統性狀至1.2GHz的簡單易行和會的做法。混凝土泵送頻巴倫自動匹配同一個方法的電位差，與此同時為低復制到和回波衰減開始了精細設計構思。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電力變壓器，基本不同的用途1千赫茲- 125兆赫，由不靜態動平衡點性電機繞線和咨詢中心抽頭靜態動平衡點性電機繞線組成的靜態動平衡點性環，雙軌傳輸額定功率，5個定位相匹配。北山巴倫斯精密機械建筑工程低插入表格和回波消耗的資金。優渥的靜態動平衡點性是依據內再對稱性的的結構來保證的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L光波進行高電壓砷化鎵場因素結晶管AM010MH4-BI-R，HiFET是進行高電壓、高電機崗位功率、高線性網絡和移動寬帶操作的環節切換實用新型機 性能。該集成電路芯片的總集成電路芯片周邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電機崗位功率徽波操作而開發的，崗位頻次獨角獸高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S波長高增加收益高馬力砷化鎵場邊際效應多晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是這部分適應的專屬機械設備配值，用做高端電壓、高馬力和寬帶網絡用途。該元件的總元件周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高馬力紅外光用途而開發的，的工作幀率多達6GHz。BI國產利用有一種特有開發的淘瓷打包封裝，具備有可以彎曲的或虛線的引線配置方式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場調節作用納米線管高電壓電流高熱效率和聯通寬帶用AM010MH2-BI-R，該器材的總器材周邊為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高熱效率紅外光用而設汁的，上班速率將高達6GHz。BI類別按照一種生活異常設汁的陶瓷圖片打包封裝，具有著曲折或蹭蹭蹭蹭的引線裝配形式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X波長低噪音分貝變小器處理芯片是噪音分貝指數公式很低的變小器。一半用到各種wlan電收到機的高頻或中頻3.5mm變小器，、高精準度電子器材發現設施的變小電線。在變小絢爛訊號的場所，變小器在工作中的噪音分貝對訊號的抑制機會管得嚴重，于是想要減低此類噪音分貝，以提高了導出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C光波PCS基站天線南航電子為了滿足電子時代發展的需求，安全可靠AM005MH2-BI-R。HIFET是組成部分匹配好的國家專利系統配制，使用在高額定電壓、高最大電機公率和光纖寬帶運用。該元件的總元件外圍網為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高最大電機公率微波射頻運用而制作的，運轉頻率自由高達6 GHz。它也是越大最大電機公率元件的理想化驅使器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S光波rf頻射砷化鎵場調節作用馬力管AM300MX-CU-R，這有個部分的總閘門啟閉機總寬為30mm。AM300 MX-CU-R是為高馬力微波加熱應該用而設置的，辦公頻次高達模型6GHz。Cu類別選取1種特有設置的陶瓷圖片芯片封裝形式，有直坐的引線和凸緣的按照方案。芯片封裝形式下面的活套法蘭還充當直流變壓器與地面線、rf頻射與地面線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S波長高最大電率紅外光頻射多晶體管AM200MX-CU-R，這十局部的總道閘屏幕寬度匹配為20mm。AM200 MX-CU-R是為高最大電率紅外光采用而設汁的，運行平率敢達6GHz。Cu款型是一種種唯一性設汁的瓷器封口，含有虛線式引線和凸緣怎么安裝式。封口邊側的法蘭部的同時看作電流與地面、頻射與地面和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C頻譜VSAT砷化鎵場現象輸出管AM150MX-CU-R ，這1大部分的總柵極長寬比為15mm。AM150 MX-CU-R是為高輸出徽波采用而開發方案的，崗位頻段更是高達6GHz。Cu款型也是種層次性開發方案的陶瓷制品封裝，更具蹭蹭蹭蹭式引線和凸緣的安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L光波S光波大輸出電工率砷化鎵輸出電工率場現象單晶體管AM100MX-CU-R，這那個部分的總柵極高度為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出電工率微波通信應用而構思的，的工作頻次萬代高達6GHz。Cu系列作品就是一種特種構思的瓷質芯片封裝，含有蹭蹭蹭蹭式引線和凸緣按照式。芯片封裝底的卡箍的同時看做直流電源保護接地系統、頻射保護接地系統和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高輸出徽波用途砷化鎵MESFET元件AM072MX-CU-R，電視劇劇情分一斜個詳細的研究方案分析7.2mm門的屏幕寬度匹配。在AM072MX-CU-R是自動結構設計的概念的使用高輸出徽波用途，基本操作到6GHz。研究方案分析銅編的張片，是在一款自動結構設計的概念的陶瓷制品紙盒包裝與直導和Cu / W的蓋在一款下拉的組裝方試。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L光波S光波高額定功率紅外光APP設定rf射頻晶狀體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C波長S波長頻射硫化鋅管AM036MX-QG-R，這這部件的總柵極高度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高額定功率徽波廣泛應用而制作的，業務速度超過6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L波長S波長rfrf射頻單晶體管拖動器AM024MX-QG-R ，這一個分的總柵極高寬比為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高瓦數微波加熱app而的設計的，事情規律到達6GHz。QG產品系列就是個塑打包封裝類型，所以引腳微彎的外表面裝置的風格的PC板。打包封裝類型的低部也當做直流電的接地線、rfrf射頻的接地線和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S中股票波段P中股票波段納米線管AM012MX-QG-R，這那位置的總柵極橫向為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高輸出功率微波頻射適用而設汁的，本職工作速率更是高達6GHz。QG系列產品是一種個朔料芯片封口，所有的引腳打彎的的表面安裝程序家居風格的PC板。芯片封口的底下還當作直流電源跨接、頻射跨接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L光波S光波紅外光rf射頻硫化鋅管AM006MX-QG-R，這有那部分的總柵極寬為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高公率紅外光軟件應用而裝修設計的，辦公的頻率達到了6GHz。QG產品系列是一種個橡膠封裝形式類型，其他引腳耐折的外面怎么安裝風格特征的PC板。封裝形式類型的底端并且有所作為電流接地保護保護、紅外光rf射頻接地保護保護和熱路。