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L波長各類高壓砷化鎵場邊際效應晶胞管AM010MH4-BI-R

發布了時刻:2018-11-05 15:33:48     打開網頁:1801

描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系產品GaAs HIFET的十區域。HiFET是高壓變壓器、高電機最大功率、高線形和寬帶網絡軟件使用的區域配比知識產權生產設備調試。該器材的總器材外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電機最大功率紅外光軟件使用而裝修設計制作的,工作上幾率高至3GHz。BI系產品使用是一種特色裝修設計制作的瓷磚二極管裝封,享有彎曲變形或水平線的引線和凸緣裝玩法。二極管裝封下端的法蘭片一起是直流電壓接地系統極、rf射頻接地系統極和熱路。這里HiFET是適合RoHS標準的的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM010MH4-BI-R 1周 50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
使用在有效的蒸發器的瓷質封裝


應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
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