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HMC347ALP3E是Analog Devices（ADI）工廠悉心設計的市場上移動寬帶、高要進行隔離度的非反射性型GaAs pHEMT SPDT（單刀雙擲）控制開關。HMC347ALP3E因其匠心的電子商務耐熱性、經驗豐富的屏蔽掉作用、極高的可信度性、牢固性或是高耐熱性癥狀，在不計其數中頻用游戲場景中勝出。其網絡帶寬特質、高防護隔離度和越來越低的導入耗損，更加HMC347ALP3E當上微波加熱射頻和微波加熱平臺中不能不或缺的首選配置文件。

主要的基本特征

的頻率范圍圖：DC 至 14 GHz，不適使用在聯通寬帶用。

高消毒度：>54 dB @ 3 GHz；>44 dB @ 10 GHz。

低添加耗用：1.8 dB @ 10 GHz，抓實數字信號輸送的高效益性。

非光散射設置：下降手機信號光散射，改善軟件系統性能方面。

二極管封裝：用到 3x3 mm QFN 表貼芯片封裝，比較合適高比熱容 PCB 設計方案。

電力設備基本特征

保持相電壓：選擇 -5/0V 的互補式負管控的電壓方法，不需上限偏置電源線。

運作瞬時電流：低至 DC，顯卡功耗較低。

app行業

基站設備基礎條件配制：用在移動信號就能和路由。

光仟和寬帶網聯通：扶持中頻表現辦理。

微波通信移動電和 VSAT：采代替小行星光纖通信和微波加熱傳導。

警用無線網電、汽車雷達和ECM：需要滿足高可信性和高的性能使用需求。

試驗設備多功能儀表：主要用于中頻試驗和測試。

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