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?其一代650 V裸片SiC MOSFET

頒布時段:2025-01-03 16:57:39     搜索:683

行同行業超出眾導通電容和轉換開關損耗費,可以滿足合適安全性能和公率相對密度技術參數。

Wolfspeed會根據再次代650 V SiC MOSFET增高了其氧化硅(SiC)技術上的主要的地位。在更多方位的電網系統中達到體積更小、承重更輕、更加高效的電網生成。650 V SiC MOSFET是效果好輕工業電壓、服務的器/電信網網洛開關電源、新資源電動式車(EV)手機充電傳動裝置、儲能電池設施設備、應對主機電源(UPS)和容量電池治理控制系統等的功能的最適宜選擇。

本質特征

冷藏生態環境的低導通電阻器

低附生濾波電容

必備太低反方向修復的高效能二級管

持續不斷耐高溫控制(Tj=175°C)

MOSFET.png

好處

可以通過修正旋轉開關和傳遞耗用提生生產設備有效率

做到高開關按鈕頻帶寬度反控

提供系統化級電機功率溶解度因素

降傳動裝置規格;克重;和蒸發必須

舉例應用軟件

化工業電源模塊

售后網站服務器/5G微信網絡

能源資源e電動充電樁設備

儲熱專用設備(ESS)

應及電源適配器(UPS)

電池組經營系統軟件(BMS)

CREE科銳于2017年拆分出微波通信微波射頻產品品牌Wolfspeed,以寬帶網、大工作功率調小器好產品為代表性。

河南市立維創展科技信息是CREE的生產商商,有了CREE微波加熱電子器件特色訂貨渠道管理,信用貸款可以保障原版原單。

*大部分型號規格需提交申請美利堅出來經營許可證。寶貝詳情學習越來越多應用,歡迎詞了解立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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