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CREE擴大了其在氫氟酸處理硅（SiC）技術工藝中的制約道德水準，低電感分立二極管封裝滿足寬沿面和漏極與源極期間的洞眼距（~8mm）。900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET具備靈活性高通過最新的的MOSFETIC芯片低頻效能，并提供數據利用于高危害生活環境的超支電氣成套隔絕。獨力的開爾文源管腳可以極大減少了電率電感；所以電源開關材料耗費可以極大減少了30%。的設計員還會實現從硅基轉到硅基來下降器材規模；實現提升電開關性能參數，還會實現三電平拓撲結構結構切改成更高一些效的兩電平拓撲結構結構。

特證

在總體事業環境溫度范圍圖內，低點電流值是900V Vbr

帶驅使源的低特性阻抗芯片封裝

高傳導電流，低RDS（切換）

低方向恢復功能（Qrr）的快速本征電感

有益于于并接，適用輕松

優越性

采用少電源開關和傳導耗費提升自己設備錯誤率

做到高面板開關的頻率控住

提升系統化級電機功率密度計算

降底系統軟件總量；重量；和保壓市場需求

啟用新的硬電源開關拓撲結構（Totem Pole PFC）

類型適用

同步電機保持系統軟件

新電力能源電池新能源充電樁系統

緊急救援電源線（UPS）

電池充電檢驗裝置

汽車新能源裝置電動三輪車快速的充能裝置

車載一體機充電氣產品器

傳輸裝置設備

電焊焊接工序

東莞市立維創展科技產業有現我司授權證書經銷處CREE微波通信電子器件，要是必須購CREE產品，請點一下右邊客服專員建立聯系小編！！！