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CMPA0060002D是種暗含氮化鎵（GaN）高電子器材變更率晶胞管（HEMT）的單面徽波集合控制電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比之下較，GaN具備著會更加良好的耐熱性，是指高些的穿透場強、高些的趨于穩定電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移網絡效率與高些的傳熱性彈性系數。與Si和GaAs結晶管相比之下較，GaN HEMT還展示 更高一些的工率體積和更寬的帶寬起步。CMPA0060002D運用分布點式（導波）增加器設計方案工作思路，要在更小的占地面積內體現極寬的下行帶寬。

的特征

?17 dB小的信號收獲值

?2 W關鍵PSAT

?功率交流電壓可以達到28V

?高熱擊穿場強

?溫度度安全使用

?盡寸0.169 x 0.066 x 0.004厘米

用

?加寬帶放縮器

?金屬線控制器

?檢測設施設備

?EMC拖動器驅程器

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