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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高手機遷址率氯化鈉晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵想必較，GaN滿足優等的機械性能；含蓋較高的穿透場強；趨于穩定電子技術偏移量時速較高；還有其較高的導熱性。與Si和GaAs單晶體管相較較，CGHV60170D打造較高的電功率強度和更寬的頻帶間距間距。

產品的尺寸

講述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT單片機芯片

最低的頻率（MHz）：0

極高次數（MHz）：6000

增加收益值（dB）：17

二極管封裝行業類別：Die

癥狀

65%典型示范工作速率疊加速率

170 W非常典型PSAT

50V超控

高損壞場強

幀率超范圍高至6 GHz

西安市立維創展新材料技術受權經銷商MACOM車輛線，注意供應商MACOM的可變氣門正時增益控制變小器，效率變小器，低嘈音變小器，線性網絡變小器，相混變小器，FTTx放縮器，勻稱式放縮器，放縮器增益值控制模塊，有源拆分器，功分器，倍頻器，交織式混頻器，混頻器，上直流abb變頻器，數值衰減器，數值移相器，輸出功率考驗器，壓控衰減器等多類半導體行業。如需購得MACOM產品的，請超鏈接右則網上客服顧問！！！