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GTRA184602FC是款460瓦（P3dB）GaN-on-SiC HEMT D經濟模式放小器，奠定基礎打造于多原則蜂窩狀電功率放小器高技術采用消費需求設定。其享有投入連接、高利用率的率和無軸環熱改善裝封的特質。

新產品品種

具體分析：高工作電壓RF GaN SiC HEMT，460 W，48 V，1805-1880 MHz

高達頻帶寬度（MHz）：1880

增加收益值（dB）：15.5

封口種類：Earless

的特征

輸進相配

不正確稱多爾蒂設計制作

主：P3dB=170 W標稱值

上限值：P3dB=350W標稱值

主要表現脈沖信號CW機械性能：16μs單脈沖平率；10%占空比；2140MHz；48v；多爾蒂沖壓模具

增加收益值=15dB@49dBm

工作效率=60%@49 dBm

P3dB=490W時的讀取輸出阻抗

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