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WS1A2639-V1-R3K是CREE的十款非對稱軸多赫蒂工作效率圖像功率放大器控制模塊（PAM），將GaN on SiC技術水平先進技術和當今很多家庭化的適合和偏置相電壓互聯網一體化在具備條件一個水冷系統性的雙層以上層壓材料的特性上。WS1A2639-V1-R3K速度條件在2496 MHz至2690 MHz。有時候動用更高50V的24v電源工作電壓；平均所在工作電壓的標準為6至8 W，最高的值細胞因子減低，數據預失真有LTE和5G NR數據資料移動信號，瞬時帶寬起步高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封口中。

好產品樣式

結合：38.5dBmGaN on SiC電機功率放小器模塊電源；2496-2690MHz

最高速率（MHz）：2496

極限頻次（MHz）：2690

P3dB輸入輸出熱效率（W）：50

增益控制值（dB）：16.5

高效率（%）：57

額定值電流（V）：48

二極管封裝類目：外表貼裝

打包封裝形式：打包封裝形式分立納米線管

技巧應用領域：SiC上的GaN

特證

GaN基SiC技術利用

從元器雙側主導和較高值子縮放器要具備柵極偏置輸出功率供電

整合化諧波電子設備

無鉛并要求RoHS標準規定

比較適合的動力進行安裝是WSGPA01

南京市立維創展自動化非常有限單位許可經售CREE徽波功率器件，若是還要購CREE設備，請超鏈接右面售后客服聯絡自己！！！