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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高手機轉化率結晶體管（HEMT），運用軟件在多準則蜂窩狀熱效率放小器水平運用軟件。GTRB226002FC-V1擁有極有效率化和無軸環的熱不斷增強封口風格。

設備產品規格

詳述：SiC HEMT上的高工作電壓RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

至少規律（MHz）：2110

高幀率（MHz）：2200

P3dB打印輸出電率（W）：450

增益值值（dB）：15

速率（%）：60

特點

典范的脈沖造成的CW的性能：10μs電磁總寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty組合夾具高效率=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時的內容輸出公率

男模沙盤模型1B級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并需要滿足RoHS基準

GaN基SiC HEMT技藝

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