亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

GTRB204402FC/1是CREE的四款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器件挪動率結晶管（HEMT），強院于多規格蜂窩狀電率擴大器水平app需求分析定制。GTRB204402FC掌握利用率高率和無軸環的熱提高封裝。

食品技術參數

舉例說明：SiC HEMT上的高馬力RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

保底速度（MHz）：1930

是最高的規律（MHz）：2020

P3dB轉換工作效率（W）：350

增益值值（dB）：16.3

高效益率（%）：58

特殊電阻值（V）：48

封裝形式門類：Earless

打包封裝類型：打包封裝類型分立納米線管

技術設備：SiC上的GaN

特征描述

典型性的脈沖信號CW穩定性，2020 MHz，48 V，10μs電磁屏幕寬度匹配，10%pwm占空比，搭配組合輸入輸出

P3dB=350W時的模擬輸出最大功率

P3dB時的科學規范率=65%

平面模特模形1C級（可根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并能夠滿足RoHS標準化

鄭州市市立維創展高新科技有限廠家英文廠家代理權經銷處CREE微波射頻元器件封裝，如果需用購CREE物料，請點擊事件右方客戶連續我們都！！！