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?PXAE263708NB-V1 S頻譜大馬力頻射LDMOS場因素晶胞管

上線時候:2024-11-04 16:57:13     訪問:720

PXAE263708NB-V1是CREE的十款400瓦(P3dB)LDMOS FET,軟件于2620至2690 MHz頻段的多標準規范蜂窩狀工率放縮器技木技術設備。收錄讀取打出支持;高增加收益及其兼具無突緣的熱減弱封裝類型的方式。PXAE263708NB-V1主要包括個性的LDMOS流程技術設備;PXAE263708NB-V1極具保持良好的熱平衡性和優異的的可靠機械性能。

PXAE263708NB-V1.png

產品設備要求

詳述:高馬力RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

最低值頻率(MHz):2620

較高率(MHz):2690

P3dB傷害耗油率(W):400

增益值(dB):13.5

效應(%):47

額定值端電壓(V):28

芯片封裝品目:朔膠

裝封:裝封的方式分立單晶體管

技木:LDMOS

結構特征

光纖寬帶里面的投入輸入輸出自適應

非軸對稱性Doherty設計的:主P1dB=140W典型示范值;最好值P1dB=260 W典范值

基本特征的單脈沖CW性質;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傳輸功效;P3dB=400W時的模擬輸出工作高效率;高效率=49%(POUT=57 W對數正態分布);增益控制=15 dB(POUT=57 W對數正態分布)

才可以治理 32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)傳輸額定功率

集成型化ESD保護措施

無鉛并具備RoHS標淮

上海市立維創展科技開發局限大公司代理權經售CREE微波射頻器材,假如必須要購CREE企業產品,請點左邊客服中心搞好關系大家!!!

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