亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D的模式放縮器，適合于多標準規定蜂窩狀耗油率放縮器方法使用。GTVA261802FC-V1掌握輸進更換、高效性率和無軸環熱加強芯片封裝的性能特點。

物料規格型號

結合：SiC HEMT上的高電功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

低于頻段（MHz）：2620

極大的工作頻率（MHz）：2690

P3dB所在電率（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

極有提高效益率（%）：43

穩定的電壓（V）：48

封裝類目：Earless

二極管打包封裝：二極管打包封裝分立納米線管

系統：SiC上的GaN

特色

?GaN-on-SiC HEMT水平

?錄入替換

?典型性的激光脈沖CW性能參數，搭配效果，

2690 MHz，48 V，10μs激光脈沖長寬比，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸入輸出諧波失真

-P3dB時的漏不低率=65.5%

-P3dB=15dB時的增益值值

?能達成48 V、180 W（CW）的輸出電率下10:1的VSWR

?模特兒3d模型1A級（依據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱傳導比率

?無鉛并夠滿足RoHS規則

東莞市立維創展科技局限單位局限單位授權使用經銷處CREE微波通信元器件，倘若要求購CREE車輛，請點擊率左側人工服務電話聯系讓我們！！！