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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一些種寬帶網納米線管存儲芯片，涉及DC-3.5 GHz工做采取了優化方案。該元器件封裝使用CW，電磁和線型工做，輸送輸出為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150是非常支持于國防科技光纖通信，大陸架移動式移動電，飛防智能機械設備，移動基本油煙凈化器，ISM使用和VHF / UHF / L / S光波雷達探測。所采用SIGANTIC®工藝設計創造 - 一些專有的GaN-on-Silicon技術設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全世界一個全家用以微波射頻運用領域的GaN on Si新技術供貨商。企業在Si RF電熱率納米線管物料上出示普遍的陸續波（CW）GaN，當作分立元器和信息模塊，規劃本職工作在DC至6 GHz。企業的高電熱率CW和直線納米線管是民用型空航光電子機械，流量，微信網絡，長脈寬聲納同時工業化，科學學和社區醫療運用領域的夢想確定。企業的物料三人組合運用了MACOM超出60年的一般，就是用GaN on Si新技術出示規范標準和個性滿意規劃，以滿意客最嚴苛的具體需求。企業的GaN on Silicon物料，使用分立納米線管和ibms變成器，使用0.5μmHEMT生產工藝，在電熱率，增加收益，增加收益AA度，率角度癥狀出成績突出的RF的性能，