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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

結構特征GaN基SiC HEMT技術性單電激光脈沖CW耐熱性：2155 MHz，48 V，40μs電激光脈沖間距，10%pwm占空比，女子組合復制粘貼輸出精度轉換工作效率@P4dB=630 WP4dB=68%時的生產率能夠滿足RoHS規范化建設貨品尺寸規格介紹一下：熱增強GaN放縮器630 W，48 V，2110-2200 MHz高達次數（MHz）：2200供電電阻值（V）：48PSAT Watt（W）：85收獲（dB）：16.5封裝形式：TO288-8L杭州市立維創展社會局限平臺許可生產商CREE徽波電子元器件，要是須要購CREE軟件，請打開網頁左測客服中心結合小編！！！