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AM020MH2-BI-R HiFET高壓低壓GaAs場作用管AMCOM

發布消息期限:2024-09-20 08:56:24     觀看:792

  AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計,適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計,頻率范圍最高可達6GHz。

  BI系列的運用很大制定的衛浴陶瓷打包封裝形式,兼具直引腳按裝休閑風。打包封裝形式下方的法蘭盤此外為DC接地裝置極、RF接地裝置極和,散熱處理方法。還有種內彎引腳游戲版本實代替接觸面貼裝技術水平(SMT)運用。

AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM

  特點

  - 網絡帶寬這部分切換:DC至2.4GHz  - 低頻操作的:大約6GHz  - 高增益控制值:在3.5GHz時增益控制值15dB  - 高瓦數:在3.5GHz時P1dB為31dBm  - 高線形度:在3.5GHz時IP3為46dBm  - 低部跨接更有效水冷散熱

  應用

  - 網絡帶寬應運  - 高電壓降10V至14V  - 移動網段  - PCS基站天線  - WLAN、中繼器和HIPERLAN  - 統計和航空運輸通訊

  參數:

Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web)
Freq
(MHz)
MAG(S11)ANG(S11)MAG(S21)ANG(S21)MAG(S12)ANG(S12)MAG(S22)ANG(S22)
200 0.621 -18.621 8.642 167.68 0.045 13.795 0.405 4.177 
500 0.631 -43.6 8.277 149.531 0.036 -25.302 0.509 -3.917 
1000 0.64 -80.941 7.365 121.484 0.028 -26.833 0.578 -25.813 
1500 0.679 -107.195 6.336 98.301 0.025 -25.939 0.601 -44.057 
2000 0.683 -130.367 5.444 76.973 0.024 -29.102 0.615 60.441 
3000 0.687 -167.484 4.115 39.754 0.02 -40.691 0.647 88.875 
4000 0.677 163.773 3.294 7.847 0.014 -56.361 0.692 -112.52 
5000 0.641 137.336 2.805 -21.489 0.003 -153.734 0.706 -129.172 
6000 0.599 105.863 2.726 -51.602 0.023 43.555 0.79 146.367 
7000 0.541 58.244 2.604 -87.004 0.037 7.578 0.817 -166.602 
8000 0.571 0.882 2.359 125.16 0.047 -25.074 0.839 172.109 
9000 0.687 -45.787 -162.023 0.057 -52.545 0.83 150.031 
10000 0.808 -78.57 1.688 163.75 0.069 80.164 0.799 126.715 


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