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　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

　　主要特征：

　　操作方法次數領域：3.3至3.6 GHz　　基線工作功率水平：60W　　小衛星信號增益控制：12 dB　　在8瓦所在時的確定誤差向量小幅度(EVM)：< 2.0%　　在8瓦傷害時的排污轉化率：25%　　運用：WiMAX固定不變對接(802.16-2004 OFDM)和WiMAX電信對接(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　零件圖編碼查詢：CGH35060P2　　文章的話：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　比較小概率：3100 MHz　　極限頻繁：3500 MHz　　最高值工作輸出耗油率：60W　　增益控制：12.0 dB　　使用率：60%　　做工作電阻值：28V　　芯片封裝形勢：分立多晶體管，卡箍、丸　　技藝：GaN-on-SiC(無定形碳硅基氮化鎵)　　CGH35060P2結晶管因而提高利用率率和實適用高頻操作步驟的效能，在無線路由通信設備和聲納控制系統等高效能運用中特征漂亮。其氮化鎵高技術可以提供了相對比較傳統與現代硅基結晶管的效能，非常是在高無刺激高壓變壓器氛圍下。

南京市立維創展科學技術是CREE的代理商商，開發CREE微波射頻元器件封裝優缺點供貨方法方法，并經常貨源外盤，以作國內 市廠使用需求。