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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的大部分特征也包括：　　- 頻次時間范圍：DC至5GHz　　- 的輸入輸出公率(P3dB)：在2.2GHz速度下，的輸入輸出公率大約49W。　　- 線形增益值控制：在2.2GHz速率下，明顯增益值控制為22.3dB。　　- 典型的PAE3dB：在2.2GHz率下，質量可以達到71.5%。　　- 的工作輸出功率：48V。　　- 低熱導率二極管封裝：在高輸出工作上時更有效水冷散熱，要保持集成電路芯片的穩定可靠性和使用期。　　- 使用間斷性波(CW)和單脈沖做工作機制　　QPD0030能否運用于Doherty搭建中，十分非常適合為中小型蜂窩、微蜂窩和有源無線模式的移動基站設備電最大功率增加器的最后的級，也能否應用于微蜂窩移動基站設備電最大功率增加器的安裝軟啟動。該ibms電路芯片主要采用了制造業條件的4x3mm接觸面貼裝QFN封裝形式，有助ibms到目前的rf射頻模式規劃中。

長沙市立維創展自動化享有穩定性的交貨推廣渠道，其優勢給予Qorvo瓷質裝封IC和裸集成ic車輛，并大批量常備外盤庫存管理，追捧聯系。