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UMS紅外光CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

氯化鈉晶體管以裸晶片的形式具備，應該第三方適合用電線路能力徹底充分調動其竟爭力。所以，也正是一些定制共同點確立了CHK5010-99F充足的功能模塊和多的運用竟爭力。主要優點和缺點包含其突出的移動寬帶力，蘋果支持達12 GHz的脈寬和接連波使用。源于GaN系統，該制作可建立高的輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時建立最優效能。顯然，該模塊化塊都具有0.90x0.80x0.1mm的省油的suv圖片尺寸，哪怕在限制的地方中也可更快模塊化。不僅其優勝的性能參數，CHK5010-99F還貼合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準單位，確定壞保和安全的。這讓用戶組在選取和使用的企業產品時順心，而不可再擔心對區域的導致導致。然而，CHK5010-99F不是款值得購買一直堅信的高安全耐磨性GaN氯化鈉晶體管，具備有廣的廣泛應用軟件和優秀的能力。其引人想象很深的安全耐磨性和合乎產業標準單位使其變成了頻射公率廣泛應用軟件的靠普使用，為該科技領域開拓了了新的概率性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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