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CREE的CMPA1D1E030D是款氧化硅多晶硅上通過氮化鎵 (GaN) 高電子遷入率單晶體管 (HEMT) 的單面微波通信融合電源線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D應用0.25μm柵極長寬工藝設備水平。與硅優于較，GaN-on-SiC兼有非常優質的的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；其中包含更強的擊穿電壓場強；更強的呈現飽和狀態電商漂移生產率和更強的熱傳導比率。

的特征

27 dB 小數據信號收獲值

30 W 經典 PSAT

任務額定電壓高至 40 V

高擊穿電壓場強

高的溫度度調節

軟件域

北斗衛星通訊網絡下行路由協議

好產品技術參數

描寫：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 工作功率變成器

低于頻繁 (MHz)：13750

高頻繁(MHz)：14500

最高的人值效果電功率(W)：30

增益控制值(dB)：26.0

錯誤率（％）：25

崗位相電壓(V)：40

行駛：MMIC 裸片

裝封類目：Die

技術：GaN-on-SiC

上海市立維創展創新科技限制集團公司授權證書經銷處CREE微波射頻配件，要是都要購CREE類產品，請鼠標單擊左邊電話客服保持在線留言的！！！