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CREE的CMPA1D1E025F是款無定形碳硅多晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高光電子遷址率結晶體管 (HEMT) 的單支微波加熱一體化電源電路 (MMIC)；使用 0.25 μm 柵極規格設計制作流程。與硅不同之處較，GaN-on-SiC具備有更有出色的功能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含了最高的損壞場強；最高的過剩電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移工作效率和最高的導熱性指數公式。CMPA1D1E025 備選 10 電纜線；25 mm x 9.9 mm；廢金屬/陶瓷圖片法蘭部盤封口也能變現最人生理想的電氣的設備的設備和熱可靠性。

特性

24 dB 小網絡信號增加收益值

40 W 舉例電脈沖信息 PSAT

固定電壓等級高至 40 V

OQPSK 下 20 W 波形工率

A/B類高增益控制；更高效應 50 Ω MMIC Ku 速度段高馬力拖動器

廣泛應用各個領域

軍用用和商用廚房 Ku 波長統計

設備金橋銅業跨接線的截面積大小

說明：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 光波 GaN MMIC 工作效率拖動器

最高幀率(MHz)：13500

較高頻繁(MHz)：14500

最多值打出工作效率(W)：25

增益值值(dB)：26.0

運行高效率（％）：16

額定值電阻值(V)：40

款式：封裝類型的MMIC

裝封類目：活套法蘭盤

枝術：GaN-on-SiC

長沙市立維創展技術有限責任大公司授權書生產商CREE紅外光元器件封裝，要是所需購CREE車輛，請鼠標單擊左測客服中心找.我！！！