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CMPA1C1D060D是款增碳硅單晶硅上跟據氮化鎵 (GaN) 高微電子轉入率多晶體管 (HEMT) 的片式微波加熱模塊化電路板 (MMIC)；CMPA1C1D060D采用0.25 μm柵極尺寸大小生產生產技術。與硅相信較，GaN-on-SiC具有著非常優秀的穩定性；砷化鎵或硅基氮化鎵；其中包含更強的損壞場強；更強的趨于穩定電子技術漂移生產率和更強的傳熱常數。

本質特征

提供 26 dB 小信號燈增加收益值

60 W 基本特征 PSAT

功率電壓降高至 40 V

高熱擊穿場強

高溫高壓度控制車

選用方向

PTP wifi手機通信技術

通訊設備衛星通訊設備上漲路由協議

品牌金橋銅業跨接線的截面積大小

詳情：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 馬力調小器

保底率(MHz)：12700

最低率(MHz)：13250

最好值的輸出工作電壓(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

學習效率（％）：30

特殊工作電壓(V)：40

經營模式：MMIC 裸片

封裝形式類目：Die

技術設備使用：GaN-on-SiC