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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特證

7.9–8.4GHz做工作

80WPOUT（關鍵值）

>13dB工作電壓增益控制值

33%其最典型的曲線PAE

50Ω內外搭配技巧

<0.1dB電功率變低

應用科技領域

衛星影像無線通訊

地面上寬帶網

品牌要求

表述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；手機輸入/傷害搭配技巧GaNHEMT

評均頻繁 (MHz)：7900

極限平率(MHz)：8400

高達值內容輸出瓦數(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

吸收率（％）：33

額定負載電壓值(V)：40

主要方式：打包封裝主要方式分立晶狀體管

封口的形式專業類別：蝶閥法蘭盤

技術設備廣泛應用：GaN-on-SiC