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CGHV50200F是種專業書籍構思用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

特征描述

4.4–5.0GHz崗位

180W常用PSAT

11.5dB一般馬力收獲值

48%比較普遍電壓有效率

50Ω內外匹配

技術應用業務領域

通信衛星電力

突破視眼——BLOS

對流換熱系數層磁學散射通迅

護膚品規格為

表述：200瓦；4400-5000MHz；50Ω鍵盤輸入/輸出的兼容性測試；氮化鎵高光電子移遷率結晶管

最低值頻次(MHz)：4400

極高幾率(MHz)：5000

較高值輸送功效(W)：200

增加收益值(dB)：11.5

的工作熱效率（％）：33

額定電壓值(V)：40

的方式：封裝樣式的方式分立單晶體管

裝封種類:法蘭部盤

技術使用：GaN-on-SiC