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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高智能電子遷出率晶胞管(HEMT)。配備前所尚無的錄入，可在DC-2.0GHz空間之類給予好一點的的瞬時光纖寬帶的性能。與硅或砷化鎵相比較較，CGHV40180擁有更市場大的的穩定性；還有更為重要的損壞場強；更為重要的飽和網絡漂移線快與慢更為重要的傳熱公式。與Si和GaAs結晶管不同之處較，CGHV40180還提高更高些的工率規格和更寬的上行帶寬。CGHV40180采用2電線金屬質/陶瓷制品法蘭部盤和藥丸式封裝，可以實現目標很好電氣公司和熱相對穩定可靠性處理。

的特點

搜索不適用

180W(CW)最便宜最大功率

250W明顯功效

24dB非常典型小的信號增益控制值

28V和50V應用

采用范圍

統計探測系統

醫療設備預防保健

帶寬增加器

的信息防護VHF-UHF

國防安全軍事化網絡通信裝備

物料型號規格

分析：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子廠搬遷率晶狀體管

更低的頻率(MHz)：0

極限速率(MHz)：2000

最大值效果最大功率(W)：200

收獲值(dB)：24.0

生產率（％）：70

電機額定功率電壓降(V)：27

多種類型：二極管封裝分立尖晶石管

封裝門類：卡箍盤、丸狀

技術性app：GaN-on-SiC