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CREE的CGHV96130F是氫氟酸處理硅(SiC)基本的材質材料上的氮化鎵(GaN)高遷址率硫化鋅管(HEMT)與另外的枝術較之，CGHV96130F實物順應(IM)FET包括卓越的輸出追加速度。與砷化鎵相比較，GaN體現了比較好的能；主要包括更大一些的擊穿電壓場強；更大一些的飽合光學漂移速率和更大一些的熱導率。與GaAs納米線管不同于，GaN HEMT還有著更好的工率體積密度和更寬的速率。CGHV96130F操作金屬/衛浴陶瓷法蘭片芯片封裝不錯建立極佳的機械和熱安全經濟性處理。

癥狀

166WPOUT（類型值）

7.5dB工率收獲值

42%主要PAE

50Ω里面的適應

<0.3dB工作功率降低

品牌尺寸規格

說明：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；主要是于X頻譜聲納廣泛應用的放入/內容輸出匹配GaNHEMT

最短頻次(MHz)：8400

非常大頻段(MHz)：9600

高值導出電率(W)：130

效應（％）：42

電機額定功率電壓值(V)：40