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?CGHV35150 S中波段最大功率變成器CREE

上線耗時:2023-10-16 16:55:53     手機瀏覽:941

Wolfspeed的CGHV35150是款獨特定制的更高能力氮化鎵(GaN)高電子器材轉入率晶胞管(HEMT);高增加收益和金屬光纖寬帶耐熱性;這也讓 CGHV35150尤為可以2.9–3.5GHzS頻譜雷達探測拖動器應用。CGHV35150配用淘瓷/鋁合金活套法蘭和藥丸式打包封裝。

癥狀

額定功率數量=150W@TCASE=85°C

的頻率的范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB公率增益值值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時類型漏級吸收率為50%

輸人更換

<0.3dB脈沖激光頻率縮減

采用范圍

S波長聲納調小器

CREE(科銳)創辦于1987年,CREE科銳符合30多年以來的寬帶網絡GAP原料料和多元化商品,CREE科銳就是一個完整版的設計方案合作方式朋友,契合微波射頻的需要,CREE科銳為行業界方法領跑的環保設備環保設備給予更強的效率和更低的技能損耗量。CREE科銳由最剛開始的GaN基面材料LED設備技術世界領先全世界,到微波通信微波射頻與毫米(mm)波單片機芯片設備,CREE科銳于2017年脫離出微波加熱微波射頻廠家Wolfspeed,以聯通寬帶、大耗油率調小器物品為杭州特色。

廣州市立維創展現代科技是CREE的代理商商,收獲CREE微波通信元器件封裝優勢與劣勢供貨商平臺,并長年庫存積壓外盤,以備不時之需國內賣場各種需求。

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CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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