披露事件:2023-09-13 16:58:47 挑選:1321
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
特點
顯示匹配
種類的脈沖造成的聯續波耐腐蝕性;960–1215MHz;50V;單雙層;128μs智能凈寬;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的所在瓦數;作業率=68%;增加收益值=17dB
無鉛并夠滿足RoHS要求
使用方面
雷達探測圖像放大儀
CREE(科銳)創立于1987年,CREE科銳應有30幾年的寬帶網GAP鋼筋取樣料和多元化好產品,CREE科銳是一種個系統的結構設計戰略戰略合作們,合適rf射頻的需求分析,CREE科銳為行行業技木領跑的機器人機械設備給予更強的瓦數和更低的功能表損耗量。CREE科銳由最已經的GaN基本的材質材料LED廠品枝術領跑全生活,到微波通信rf射頻與豪米波電子器件廠品,CREE科銳于2017年剝離出紅外光微波射頻企業品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大額定功率增加器新產品為標志性。
山東市立維創展科持是CREE的總經銷商商,有CREE微波射頻元器件封裝強勢供應商銷售渠道,并長時間銷量期貨,以便中國人專業市場需求量。
內容清楚CREE微波通信射頻微波通信請打開://takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |