發表日期:2023-01-05 16:44:22 挑選:844
Wolfspeed的CGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。
結構特征
VHF–3.0GHz操作
30W峰峰值輸出安全性能
>15dB小手機信號增加收益值
>28%引流方法效果
廣泛應用
VHF;通訊網站;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA變大器利用行業。
CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳必備30數年的帶寬GAP原料料和研發食品,CREE科銳是個系統的制作相互合作粉絲,包含微波射頻的需要量,CREE科銳為行行業技術專用設備專業的系統專用設備可以提供更強的瓦數和更低的的功能不足。CREE科銳由最現在開始的GaN板材LED品牌方法最前沿全地球,到紅外光rf射頻與分米波集成ic品牌,CREE科銳于2017年分開出微波加熱rf射頻產品Wolfspeed,以帶寬、大額定功率放小器設備為優點。
廣州市立維創展科學技術是CREE的生產商商,都有CREE微波射頻元器勝機供應商推廣渠道,并常期存量現貨黃金,僅作中國人領域要。
祥情了解CREE徽波射頻徽波請彈框://takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGH27030F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
CGH27030P | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CGH27030F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CGH27030S-AMP1 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH27030S | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |