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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

終究，它們努力的的重大成就致使無源GaN混頻器的設計在放入三階交調截點（IIP3）與本地服務震蕩器（LO）win7伺服win7驅動器的百分比的方面少于各種砷化鎵（GaAs）無源混頻器的設計 - a品味條件制作MMIC現在開創曲線吸收率。從S股票光波到K股票光波（2 GHz到19 GHz），這樣的新形無源GaN混頻器表現的IIP3數字6遠低過30 dBm，LOwin7win7驅動電平約為20 dBm，曲線吸收率低過10 dB。

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