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C股票波段氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

發布公告用時:2022-08-10 17:04:39     查詢:1031

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供更高的功率因素和更寬的帶寬。

特色

15W典型案例PSAT

28伏操控性

高損壞場強

高溫作業遠程操作

萬代高達8GHz的反控

效果高

軟件應用

2路自身錄音機

寬帶網調大器

蜂窩條件建設

測試設備

ClassA;AB;包括使用于OFDM的非線性拖動器;W-CDMA;邊沿;CDMA波型

CREE(科銳)開設于1987年,CREE科銳遵循30這么多年的帶寬GAP原料料和什么是創新型產品的,CREE科銳是個詳盡的設計方案進行合作摯友,完全符合頻射的使用需求,CREE科銳為行同行業枝術優勢的電腦機械設備能提供更強的電機功率和更低的實用功能耗損率。CREE科銳由最逐漸的GaN基面材料LED的產品的水平技術型全市場,到紅外光rf射頻與厘米波處理器的產品的,CREE科銳于2017年分開出微波頻射頻射國產品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大工作功率變小器物品為地方特色。

蘇州市市立維創展信息技術是CREE的經售商,有CREE微波射頻元器件特點供應平臺,并持久倉庫現貨平臺,僅作中國大行業需要量。

詳細信息了解一下CREE微波射頻射頻微波射頻請雙擊://takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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