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CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
特色
17dB典型的。10GHz時的小數據信號增加收益值
60%經典值。10GHz時的PAE
6W典范Psat
40伏控制
高至18GHz的遠程控制
使用
北斗衛星通信設備
PTP無線通訊接
水域統計
豪華游艇雷達天線
港口船艇交通管理產品
寬帶網絡變成器
有學習效率率圖像放大器電路
CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳遵循30二十多年的聯通寬帶GAP原用料料和特色化好產品,CREE科銳就是個全部的裝修設計合作的摯友,契合頻射的要求,CREE科銳為行業內人士技能專業的服務器裝置出具更強的功效和更低的功用耗用。CREE科銳由最現在開始的GaN基本的材質材料LED產品技能最前沿全球級,到徽波微波射頻與mm毫米波IC芯片產品,CREE科銳于2017年分割出微波通信微波射頻品牌形象Wolfspeed,以光纖寬帶、大工作電壓拖動器企業產品為廣州特色。
長沙市立維創展創新科技是CREE的零售商商,具有CREE微波加熱元件特色供貨期平臺,并長年庫存量期貨,以便中國內地市場上標準。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |