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C頻譜CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT處理芯片CREE

正式發布時間間隔:2022-07-20 16:36:43     打開網頁:936

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

特色

17dB典型的。10GHz時的小數據信號增加收益值

60%經典值。10GHz時的PAE

6W典范Psat

40伏控制

高至18GHz的遠程控制

使用

北斗衛星通信設備

PTP無線通訊接

水域統計

豪華游艇雷達天線

港口船艇交通管理產品

寬帶網絡變成器

有學習效率率圖像放大器電路

CREE.png

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳遵循30二十多年的聯通寬帶GAP原用料料和特色化好產品,CREE科銳就是個全部的裝修設計合作的摯友,契合頻射的要求,CREE科銳為行業內人士技能專業的服務器裝置出具更強的功效和更低的功用耗用。CREE科銳由最現在開始的GaN基本的材質材料LED產品技能最前沿全球級,到徽波微波射頻與mm毫米波IC芯片產品,CREE科銳于2017年分割出微波通信微波射頻品牌形象Wolfspeed,以光纖寬帶、大工作電壓拖動器企業產品為廣州特色。

長沙市立維創展創新科技是CREE的零售商商,具有CREE微波加熱元件特色供貨期平臺,并長年庫存量期貨,以便中國內地市場上標準。

詳情頁知道CREE頻射微波射頻請點擊率://takasago.net.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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