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UMSmm毫米波內部的匹配好GAN工作功率晶胞管

發部日子:2022-04-13 16:54:30     搜索:1018

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMSmm波展示來源于ASIC或導航好產品的全領域價格表,核心根據裝修公司內的III-V新技術,并能提供全各方面的合同書貼心服務,使合作方就能夠直接的加入各自的產品設備防止方案設計。UMS厘米波的各個總目錄好產品從DC到100GHz都應用場景GaAs、Gan和SiGe技術水平,有敢達200W的工率調小器、混雜數據功能鍵、較低躁聲調小器和完美的接收器控制系統。UMS設備以沖壓模具的類型具備,但通暢以多存儲芯片模組的類型打包封裝。

上海市立維創展社會有現子公司是UMS的代商,專注為無線路由光纖通信施工、航天部通信基站、中國國防、汽車的、ism等行業領域可以提供高靠譜性頻射微波射頻分米波元件及智能家居控制線路。UMS類產品應用QFN和模貝包裝箱,交房期短,價格多少勝機的難忘。我國為那些規格型號能提供高的品質量的UMS產品設備庫存量。的歡迎資詢。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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